Innovació tecnològica
L'Incasòl i la UPC impulsen un edifici d'investigació al Campus Diagonal-Besòs de Barcelona
El nou equipament, el sisè del campus, tindrà una inversió d'aproximadament 20 milions
campus-diagonal-besos
L’Institut Català del Sòl (Incasòl) i la UPC han arribat a un acord per impulsar un nou edifici d’investigació al Campus Diagonal-Besòs de Barcelona, que tindrà una inversió d’aproximadament 20 milions. El nou equipament serà el sisè del campus i buscarà ser un pol d’atracció per a centres i grups d’investigació que se sumaran a la resta d’unitats que la UPC ja té en funcionament al Campus.
La UPC transfereix els terrenys de la parcel·la D a l’Incasòl en dret de superfície, que serà qui construeixi i gestioni el nou edifici per col·laborar amb la universitat en la implementació del nou campus i en el foment de la innovació tecnològica i la investigació. El futur sisè edifici del Campus estarà situat entre la rambla Central del Campus i el carrer Eduard Maristany, i tindrà una superfície total construïda de 10.670 metres quadrats.
El setembre del 2016 es va posar en marxa el Campus Diagonal-Besòs de la UPC, amb 3.100 estudiants i 400 docents i investigadors de l’Escola d’Enginyeria de Barcelona Est (EEBE), el principal motor del campus.
Actualment, el campus compta amb quatre edificis construïts, tres d’aquests dedicats a la docència i a la investigació i, el més recent, la residència per a estudiants, professors i investigadors.
- Al minut Guerra de l’Iran, en directe: última hora | Nova negociació entre els EUA i l’Iran per aconseguir la pau
- Platja El pacífic poble a només 15 minuts de Santa Coloma de Gramenet: espectacular
- Amb 20 projectes Barcelona llança una estratègia per impulsar i internacionalitzar l’economia blava amb 150 milions fins al 2030
- Trencament de l'enganxall Una desfilada accidentada: la bandera d'Espanya cau durant la celebració del Dia de les Forces Armades a Vigo
- Per un càncer Mor als 80 anys Marcia Lucas, l'editora que va convertir 'Star Wars' en un fenomen mundial
