El Govern mobilitzarà uns 400 milions per a un centre de xips

Posicionar Catalunya dins de la carrera europea cap al lideratge en l’àmbit dels xips i semiconductors avançats. I fer-ho, a més, en un context marcat per la competència global entre els Estats Units, Europa i Àsia per atraure capacitat industrial i coneixement. Aquest és l’horitzó al qual la Generalitat aspira amb la constitució del patronat de la Fundació InnoFAB, l’entitat pública sense ànim de lucre que, des d’aquest dilluns, pilotarà la posada en marxa del primer centre de prototipat de semiconductors avançats de Catalunya.

Es tracta d’un projecte estratègic que preveu mobilitzar prop de 400 milions d’euros i que s’ubicarà al Parc de l’Alba de Cerdanyola del Vallès, al costat del Sincrotró Alba. L’acte de constitució del patronat ha tingut lloc a la seu de la Conselleria d’Investigació i Universitats, i ha comptat amb la participació dels consellers de Presidència, Albert Dalmau; Economia i Finances, Alícia Romero; Empresa i Treball, Miquel Sàmper, i la titular d’Investigació i Universitats, Núria Montserrat, departament al qual quedarà adscrita la nova fundació.

La creació d’InnoFAB s’emmarca en l’estratègia del Govern per reforçar el pes tecnològic i industrial de Catalunya i consolidar el territori com un dels pols europeus de disseny, desenvolupament i preproducció de xips avançats. Això s’alinea amb l’European Chips Act i el Perte Xip impulsat per l’Executiu central.

Amb aquesta finalitat, la nova infraestructura estarà orientada al desenvolupament de micro i nanotecnologies basades en semiconductors i tindrà una clara vocació industrial i de transferència tecnològica (o tech-transfer). L’objectiu és cobrir tot el procés conegut com a "Lab-to-Fab", és a dir, facilitar que les innovacions desenvolupades en laboratoris puguin convertir-se posteriorment en productes industrials.

Tres edificis

El complex comptarà amb una sala blanca de 2.000 metres quadrats destinada a la fabricació de prototips i petites sèries de xips avançats amb aplicacions en àmbits com l’electrònica, la salut o l’energia. A més, el projecte preveu la construcció de tres edificis que sumaran prop de 22.000 metres quadrats: un de principal per a fabricació, un altre per a oficines i laboratoris i un tercer de serveis auxiliars.

Segons la Generalitat, es preveu que el centre generi uns 200 llocs de treball directes i actuï, a més, com a tractor per atraure talent, investigadors, start-ups tecnològiques i petites i mitjanes empreses especialitzades en microelectrònica i nanotecnologia.

Perquè tot i que l’activitat es focalitzarà inicialment a Catalunya, el Govern remarca que la infraestructura tindrà abast europeu i internacional gràcies a les seves col·laboracions científiques i tecnològiques. De fet, el projecte tècnic ha sigut liderat fins ara per l’Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2), mentre que l’enginyeria bàsica va ser adjudicada el gener passat al grup IDP per 2,6 milions d’euros.

Notícies relacionades

Indra contractarà 1.500 treballadors a Catalunya per al seu negoci de defensa

Simón i De los Mozos reorganitzen la cúpula

Es pot ressaltar que l’ICN2 forma part, al seu torn, del Barcelona Institute of Science and Technology (BIST), institució de caràcter publicoprivat que aglutina set dels centres d’investigació científics de Catalunya adscrits a universitats públiques: el Centre de Regulació Genòmica (CRG), Institut de Bioenginyeria (IBEC), Institut de Ciències Fotòniques (ICFO), Institut d’Investigació Química (ICFO), Institut de Física d’Altes Energías (IFAE) i l’Institut d’Investigació Biomèdica (IRB Barcelona). Aquesta marca suma 2.700 investigadors, acumula 270 patents i 56 ‘spin-offs’.

InnoFAB forma part a més del denominat "Trident Innovador" inclòs en el pla Catalunya Lidera. Al costat d’aquest centre, l’estratègia incorpora dos grans projectes: DONE, liderat pel Barcelona Supercomputing Center per desenvolupar tecnologies basades en arquitectura RISC-V orientades a supercomputació i intel·ligència artificial; i PIXEurope, coordinat per l’ICFO i centrat en circuits fotònics integrats.